试卷相关题目
- 1IGBT是一个复合型的器件,它是( )。
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTR
开始考试点击查看答案 - 2 IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是( )。
A.栅极
B.集电极
C.阳极
D.发射极
开始考试点击查看答案 - 3( )不具有电导调制效应。
A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 4 ( )是主要电力电子器件中,开关时间最短的。
A.PowerDiode
B.SCR
C.PowerMOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 5 power MOSFET适用于( )容量的设备。
A.高速大
B.低速大
C.高速小
D.低速小
开始考试点击查看答案 - 6以下属于电流驱动的是有( )。
A.电力二极管
B.晶闸管
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 7 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( )。
A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
开始考试点击查看答案 - 8 下列器件中不为全控型器件的是( )。
A.门极可控制晶闸管
B.快速晶闸管
C.光控晶闸管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案 - 9普通晶闸管外部有三个电极,分别是( )。
A.阳极
B.阴极
C.门极
D.正极,负极
开始考试点击查看答案 - 10 下列元器件中,( )属于全控型。
A.大功率晶体管
B.绝缘栅场效应晶体管
C.可关断晶闸管
D.绝缘栅极双极型晶体管
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