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IGBT是一个复合型的器件,它是(      )。

发布时间:2024-09-28

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTR

试卷相关题目

  • 1 IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是(      )。

    A.栅极

    B.集电极

    C.阳极

    D.发射极

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  • 2(      )不具有电导调制效应。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 3 (      )是主要电力电子器件中,开关时间最短的。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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  • 4 power MOSFET适用于(      )容量的设备。

    A.高速大

    B.低速大

    C.高速小

    D.低速小

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  • 5 晶闸管由导通到关断的条件(      )。

    A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

    B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

    C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

    D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

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  • 6 属于单极型电力电子器件的有(      )。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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  • 7以下属于电流驱动的是有(      )。

    A.电力二极管

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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  • 8 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用(      )。

    A.du/dt抑制电路

    B.抗饱和电路

    C.di/dt抑制电路

    D.吸收电路

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  • 9 下列器件中不为全控型器件的是(          )。

    A.门极可控制晶闸管

    B.快速晶闸管

    C.光控晶闸管

    D.绝缘栅双极型晶体管

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  • 10普通晶闸管外部有三个电极,分别是(          )。

    A.阳极

    B.阴极

    C.门极

    D.正极,负极

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