位置:首页 > 题库频道 > 招考类 > 国家电网考试 > 电工类本科 > 题海阶段 > 电力电子综合题 > 电力电子专项试卷一1

(      )不具有电导调制效应。

发布时间:2024-09-28

A.GTO

B.GTR

C.Power MOSFET

D.IGBT

试卷相关题目

  • 1 (      )是主要电力电子器件中,开关时间最短的。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

    开始考试点击查看答案
  • 2 power MOSFET适用于(      )容量的设备。

    A.高速大

    B.低速大

    C.高速小

    D.低速小

    开始考试点击查看答案
  • 3 晶闸管由导通到关断的条件(      )。

    A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

    B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

    C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

    D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

    开始考试点击查看答案
  • 4对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有,IL(      )IH。

    A.大于

    B.等于

    C.小于

    D.无关

    开始考试点击查看答案
  • 5选用晶闸管时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的(      )倍。   

    A.1

    B.2

    C.2-3

    D.3-4

    开始考试点击查看答案
  • 6 IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是(      )。

    A.栅极

    B.集电极

    C.阳极

    D.发射极

    开始考试点击查看答案
  • 7IGBT是一个复合型的器件,它是(      )。

    A.GTR驱动的MOSFET

    B.MOSFET驱动的GTR

    C.MOSFET驱动的晶闸管

    D.MOSFET驱动的GTR

    开始考试点击查看答案
  • 8 属于单极型电力电子器件的有(      )。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

    开始考试点击查看答案
  • 9以下属于电流驱动的是有(      )。

    A.电力二极管

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

    开始考试点击查看答案
  • 10 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用(      )。

    A.du/dt抑制电路

    B.抗饱和电路

    C.di/dt抑制电路

    D.吸收电路

    开始考试点击查看答案
返回顶部