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 power MOSFET适用于(      )容量的设备。

发布时间:2024-09-28

A.高速大

B.低速大

C.高速小

D.低速小

试卷相关题目

  • 1 晶闸管由导通到关断的条件(      )。

    A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

    B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

    C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

    D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

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  • 2对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有,IL(      )IH。

    A.大于

    B.等于

    C.小于

    D.无关

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  • 3选用晶闸管时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的(      )倍。   

    A.1

    B.2

    C.2-3

    D.3-4

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  • 4晶闸管属于(      )。

    A.不可控器件

    B.全控器件

    C.半控器件

    D.以上说法都不对

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  • 5多用于200V以下的低压场合,且反向恢复时间非常短的二极管是(      )。

    A.整流二极管

    B.续流二极管

    C.肖特基二极管

    D.快恢复二板管

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  • 6 (      )是主要电力电子器件中,开关时间最短的。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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  • 7(      )不具有电导调制效应。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 8 IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是(      )。

    A.栅极

    B.集电极

    C.阳极

    D.发射极

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  • 9IGBT是一个复合型的器件,它是(      )。

    A.GTR驱动的MOSFET

    B.MOSFET驱动的GTR

    C.MOSFET驱动的晶闸管

    D.MOSFET驱动的GTR

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  • 10 属于单极型电力电子器件的有(      )。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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