下列器件中不为全控型器件的是（          ）。

试卷相关题目

• 1 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（      ）。

  A.du/dt抑制电路

  B.抗饱和电路

  C.di/dt抑制电路

  D.吸收电路

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• 2以下属于电流驱动的是有（      ）。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 3 属于单极型电力电子器件的有（      ）。

  A.PowerDiode

  B.SCR

  C.PowerMOSFET

  D.IGBT

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• 4IGBT是一个复合型的器件，它是（      ）。

  A.GTR驱动的MOSFET

  B.MOSFET驱动的GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET驱动的GTR

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• 5 IGBT的结构是三端器件，下面不属于其端子名称的是（      ）。

  A.栅极

  B.集电极

  C.阳极

  D.发射极

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• 6普通晶闸管外部有三个电极，分别是（          ）。

  A.阳极

  B.阴极

  C.门极

  D.正极，负极

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• 7 下列元器件中，（          ）属于全控型。

  A.大功率晶体管

  B.绝缘栅场效应晶体管

  C.可关断晶闸管

  D.绝缘栅极双极型晶体管

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• 8下列元器件中，（          ）属于半控型。

  A.普通晶闸管

  B.逆导晶闸管

  C.双向晶闸管

  D.可关断晶闸管

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• 9与处理信息的电子器件相比，电力电子器件的主要特点（          ）。

  A.处理的主要是功率

  B.需要驱动电路

  C.有较大的功耗

  D.通常工作在开关状态

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• 10 GTR工作时存在SOA，下列表述中与SOA含义不一致的是（          ）。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

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