位置:首页 > 题库频道 > 招考类 > 国家电网考试 > 电工类本科 > 题海阶段 > 电力电子综合题 > 电力电子专项试卷一1

 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用(      )。

发布时间:2024-09-28

A.du/dt抑制电路

B.抗饱和电路

C.di/dt抑制电路

D.吸收电路

试卷相关题目

  • 1以下属于电流驱动的是有(      )。

    A.电力二极管

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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  • 2 属于单极型电力电子器件的有(      )。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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  • 3IGBT是一个复合型的器件,它是(      )。

    A.GTR驱动的MOSFET

    B.MOSFET驱动的GTR

    C.MOSFET驱动的晶闸管

    D.MOSFET驱动的GTR

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  • 4 IGBT的结构是三端器件,下面不属于其端子名称的是(      )。

    A.栅极

    B.集电极

    C.阳极

    D.发射极

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  • 5(      )不具有电导调制效应。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 6 下列器件中不为全控型器件的是(          )。

    A.门极可控制晶闸管

    B.快速晶闸管

    C.光控晶闸管

    D.绝缘栅双极型晶体管

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  • 7普通晶闸管外部有三个电极,分别是(          )。

    A.阳极

    B.阴极

    C.门极

    D.正极,负极

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  • 8 下列元器件中,(          )属于全控型。

    A.大功率晶体管

    B.绝缘栅场效应晶体管

    C.可关断晶闸管

    D.绝缘栅极双极型晶体管

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  • 9下列元器件中,(          )属于半控型。

    A.普通晶闸管

    B.逆导晶闸管

    C.双向晶闸管

    D.可关断晶闸管

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  • 10与处理信息的电子器件相比,电力电子器件的主要特点(          )。

    A.处理的主要是功率

    B.需要驱动电路

    C.有较大的功耗

    D.通常工作在开关状态

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