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 下列元器件中,(          )属于全控型。

发布时间:2024-09-28

A.大功率晶体管

B.绝缘栅场效应晶体管

C.可关断晶闸管

D.绝缘栅极双极型晶体管

试卷相关题目

  • 1普通晶闸管外部有三个电极,分别是(          )。

    A.阳极

    B.阴极

    C.门极

    D.正极,负极

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  • 2 下列器件中不为全控型器件的是(          )。

    A.门极可控制晶闸管

    B.快速晶闸管

    C.光控晶闸管

    D.绝缘栅双极型晶体管

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  • 3 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用(      )。

    A.du/dt抑制电路

    B.抗饱和电路

    C.di/dt抑制电路

    D.吸收电路

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  • 4以下属于电流驱动的是有(      )。

    A.电力二极管

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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  • 5 属于单极型电力电子器件的有(      )。

    A.PowerDiode

    B.SCR

    C.PowerMOSFET

    D.IGBT

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  • 6下列元器件中,(          )属于半控型。

    A.普通晶闸管

    B.逆导晶闸管

    C.双向晶闸管

    D.可关断晶闸管

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  • 7与处理信息的电子器件相比,电力电子器件的主要特点(          )。

    A.处理的主要是功率

    B.需要驱动电路

    C.有较大的功耗

    D.通常工作在开关状态

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  • 8 GTR工作时存在SOA,下列表述中与SOA含义不一致的是(          )。

    A.线性放大区

    B.安全工作区

    C.饱和区

    D.截止区

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  • 9 IGBT的正向偏置安全工作区不能超过(          )。

    A.二次击穿临界线

    B.最大集射极间电压

    C.最大集电极功耗确定

    D.最大集电极电流

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  • 10关于电力MOSFET 的工作特性,下列叙述正确的是(          )。

    A.当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零时,漏源极之间无电流流过

    B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS,漏极和源极就能导电

    C.开关速度快,工作频率高

    D.与IGBT比较,电力MOSFET电流容量较小,耐压较低

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