IGBT的结构是三端器件，下面不属于其端子名称的是（      ）。

试卷相关题目

• 1（      ）不具有电导调制效应。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 2 （      ）是主要电力电子器件中，开关时间最短的。

  A.PowerDiode

  B.SCR

  C.PowerMOSFET

  D.IGBT

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• 3 power MOSFET适用于（      ）容量的设备。

  A.高速大

  B.低速大

  C.高速小

  D.低速小

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• 4 晶闸管由导通到关断的条件（      ）。

  A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

  B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

  C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

  D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

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• 5对于同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有，IL（      ）IH。

  A.大于

  B.等于

  C.小于

  D.无关

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• 6IGBT是一个复合型的器件，它是（      ）。

  A.GTR驱动的MOSFET

  B.MOSFET驱动的GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET驱动的GTR

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• 7 属于单极型电力电子器件的有（      ）。

  A.PowerDiode

  B.SCR

  C.PowerMOSFET

  D.IGBT

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• 8以下属于电流驱动的是有（      ）。

  A.电力二极管

  B.晶闸管

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 9 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（      ）。

  A.du/dt抑制电路

  B.抗饱和电路

  C.di/dt抑制电路

  D.吸收电路

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• 10 下列器件中不为全控型器件的是（          ）。

  A.门极可控制晶闸管

  B.快速晶闸管

  C.光控晶闸管

  D.绝缘栅双极型晶体管

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