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试卷介绍
电子技术试题
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- 11由锗二极管VD、电源£=1.5V和电阻/? = 3kft组成的电路如图1-16所示,该电 路中的电流值是( )。
B.0.27mA
C.0.4mA
D.0.5mA
开始考试练习点击查看答案 - 12稳压电路如图1-18所示,稳压管的稳压值均为f/z=6.3V,正向导通压降f/D=0.7V, 其输出电压为()0
A.6.3V
B.0.7V
C.7V
D.14V
开始考试练习点击查看答案 - 13工作在放大区的某晶体管,当/BW2(VA增大 到40pA时,/c从1mA变为2mA,则其/3值约为( )。
A.10
B.50
C.100
开始考试练习点击查看答案 - 14NPN型和PNP型晶体管的区别是( )。 20V
A.由两种不同材料硅和锗制成的
B.掺人杂质元素不同
C.P区和N区的位置不同
开始考试练习点击查看答案 - 15温度升高时,晶体管的参数办值将()。
A.升高
B.降低
C.不变
开始考试练习点击查看答案 - 16温度升高时,晶体管的参数/«0将()。
A.升高
B.降低
C.不变
开始考试练习点击查看答案 - 17温度升高时,晶体管发射结压降1^将( )。
A.升高
B.降低
C.不变
开始考试练习点击查看答案 - 18温度升高时,晶体管的穿透电流/CE。将()。
A.升高
B.降低
C.不变
开始考试练习点击查看答案 - 19 /c电流增大到一定程度时,晶体管的办值将( )。
A.增大
B.减小
C.不变
开始考试练习点击查看答案 - 20锗材料晶体管的最高耐热温度是( )。
A.70V
B.100T
C.200^
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