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NPN型和PNP型晶体管的区别是( )。 20V

发布时间:2021-12-27

A.由两种不同材料硅和锗制成的

B.掺人杂质元素不同

C.P区和N区的位置不同

试卷相关题目

  • 1工作在放大区的某晶体管,当/BW2(VA增大 到40pA时,/c从1mA变为2mA,则其/3值约为( )。

    A.10

    B.50

    C.100

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  • 2稳压电路如图1-18所示,稳压管的稳压值均为f/z=6.3V,正向导通压降f/D=0.7V, 其输出电压为()0

    A.6.3V

    B.0.7V

    C.7V

    D.14V

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  • 3由锗二极管VD、电源£=1.5V和电阻/? = 3kft组成的电路如图1-16所示,该电 路中的电流值是( )。

    B.0.27mA

    C.0.4mA

    D.0.5mA

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  • 4把一^二极管直接同一^电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该管()。

    A.击穿

    B.电流为零

    C.电流正常

    D.电流过大使管子烧坏1-11电路如图M5所示,VD,和VD2是硅管,输出电压R应为( )。A. 0.7V B. 7.3VC. 8VD. 8.7V

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  • 5当温度升髙时,二极管的正向电压( ),反向电流( )。

    A.增大

    B.减小

    C.基本不变

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  • 6温度升高时,晶体管的参数办值将()。

    A.升高

    B.降低

    C.不变

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  • 7温度升高时,晶体管的参数/«0将()。

    A.升高

    B.降低

    C.不变

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  • 8温度升高时,晶体管发射结压降1^将( )。

    A.升高

    B.降低

    C.不变

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  • 9温度升高时,晶体管的穿透电流/CE。将()。

    A.升高

    B.降低

    C.不变

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  • 10 /c电流增大到一定程度时,晶体管的办值将( )。

    A.增大

    B.减小

    C.不变

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