/c电流增大到一定程度时，晶体管的办值将（ ）。

试卷相关题目

• 1温度升高时，晶体管的穿透电流/CE。将（）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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• 2温度升高时，晶体管发射结压降1^将（ ）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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• 3温度升高时，晶体管的参数/«0将（）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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• 4温度升高时，晶体管的参数办值将（）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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• 5NPN型和PNP型晶体管的区别是（ ）。 20V

  A.由两种不同材料硅和锗制成的

  B.掺人杂质元素不同

  C.P区和N区的位置不同

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• 6锗材料晶体管的最高耐热温度是（ ）。

  A.70V

  B.100T

  C.200^

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• 7晶体管的穿透电流大，说明其（ ）。

  A.工作电流大

  B.击穿电压高

  C.寿命长

  D.热稳定性差 1-33测得某放大电路中晶体管的三个管脚1、2、3的电位分别为2V、6V和2.7V，则 管脚1、2、3对应的三个极是（ ）。A.EBC B. ECBC. CBED.BEC

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• 8测得某放大电路中晶体管的三个管脚1、2、3的电位分别是0、-0.2V和-5V， 则管脚1、2、3对应的三个电极是（ ）。

  A.EBC

  B.ECB

  C.CBE

  D.BEC

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• 9题1-34中的晶体管是（ ）。

  A.NPN型硅管

  B.PNP型硅管

  C.PNP型锗管

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• 10发射结正向偏置，集电结反向偏置是晶体管工作在（）区的外部条件。

  A.放大

  B.饱和

  C.截止

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