由锗二极管VD、电源£=1.5V和电阻/? = 3kft组成的电路如图1-16所示，该电 路中的电流值是（ ）。

试卷相关题目

• 1把一^二极管直接同一^电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（）。

  A.击穿

  B.电流为零

  C.电流正常

  D.电流过大使管子烧坏1-11电路如图M5所示，VD,和VD2是硅管，输出电压R应为（ ）。A. 0.7V B. 7.3VC. 8VD. 8.7V

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• 2当温度升髙时，二极管的正向电压（ ），反向电流（ ）。

  A.增大

  B.减小

  C.基本不变

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• 3二极管的导通条件是（ ）。

  A.«D>0

  B.uD>死区电压

  C.md>击穿电压

  D.wD<死区电压

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• 4锗二极管的导通电压（ ），死区电压（ ），硅二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。

  A.0. 7V

  B.0.2V

  C.0.3V

  D.0.5V

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• 5二极管的正向电阻（ ）反向电阻。

  A.大于

  B.远小于

  C.等于

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• 6稳压电路如图1-18所示，稳压管的稳压值均为f/z=6.3V，正向导通压降f/D=0.7V， 其输出电压为（)0

  A.6.3V

  B.0.7V

  C.7V

  D.14V

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• 7工作在放大区的某晶体管，当/BW2(VA增大 到40pA时，/c从1mA变为2mA，则其/3值约为（ ）。

  A.10

  B.50

  C.100

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• 8NPN型和PNP型晶体管的区别是（ ）。 20V

  A.由两种不同材料硅和锗制成的

  B.掺人杂质元素不同

  C.P区和N区的位置不同

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• 9温度升高时，晶体管的参数办值将（）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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• 10温度升高时，晶体管的参数/«0将（）。

  A.升高

  B.降低

  C.不变

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