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关于电力MOSFET 的工作特性,下列叙述正确的是(          )。

发布时间:2024-09-28

A.当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零时,漏源极之间无电流流过

B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS,漏极和源极就能导电

C.开关速度快,工作频率高

D.与IGBT比较,电力MOSFET电流容量较小,耐压较低

试卷相关题目

  • 1 IGBT的正向偏置安全工作区不能超过(          )。

    A.二次击穿临界线

    B.最大集射极间电压

    C.最大集电极功耗确定

    D.最大集电极电流

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  • 2 GTR工作时存在SOA,下列表述中与SOA含义不一致的是(          )。

    A.线性放大区

    B.安全工作区

    C.饱和区

    D.截止区

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  • 3与处理信息的电子器件相比,电力电子器件的主要特点(          )。

    A.处理的主要是功率

    B.需要驱动电路

    C.有较大的功耗

    D.通常工作在开关状态

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  • 4下列元器件中,(          )属于半控型。

    A.普通晶闸管

    B.逆导晶闸管

    C.双向晶闸管

    D.可关断晶闸管

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  • 5 下列元器件中,(          )属于全控型。

    A.大功率晶体管

    B.绝缘栅场效应晶体管

    C.可关断晶闸管

    D.绝缘栅极双极型晶体管

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  • 6关于智能功率模块,描述正确的是(          )。

    A.简称 IPM

    B.也称智能 IGBT

    C.用于 MOSFET 的集成

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  • 7下列器件哪些器件属于复合型器件(          )。

    A.GTR

    B.IGBT

    C.MCT

    D.晶闸管

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  • 8 电力二极管特性,下列说法描述正确的是:(          )。

    A.静态特性主要是指其伏安特性

    B.电压—电流特性不随温度变化

    C.静态特性和动态特性是不一样的特性

    D.动态特性反映通态和断态之间转换过程的开关特性

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  • 9关于电力MOSFET的开关特性,下列描述正确的是(          )。

    A.MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系

    B.降低栅极驱动电路的内阻Rs,可以加快开关速度

    C.不存在少子储有效应,因而其开通过程非常迅速

    D.工作频率是主要电力电子器件中最高的

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  • 10 以下属于电压驱动的是(          )。

    A.电力二极管

    B.GTR

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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