关于a袞变，下列说法不正确的是（）

试卷相关题目

• 1下列说法正确的是（）

  A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体只有一种载流子(电子或 空穴)参与导电

  B.杂质半导体中，电子与空穴两种载流子的整体对半导体的导电性有相同的贡献

  C.n型半导体中载流子电子对导电性能的贡献大，是由于载流子电子数比载流子空穴数多

  D.一个载流子电子比一个载流子空穴对半导体的导电性能的贡献大，所以同样载流子浓度的n 型半导体比P型半导体导电性能好.

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• 2n型半导体中，由杂质原子所形成杂质能级在能带结构中应处于（）

  A.价带中

  B.导带中

  C.禁带中，但接近价带顶

  D.禁带中，但接近导带顶

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• 3对于金属中的自由电子气，下面看法正确的是（）

  A.自由电子处于一个三维的无限深方势阱中，在势阱内不受力的作用

  B.自由电子气中每个电子的平均平动动能等于3化772,T为金属的温度

  C.自由电子的德布罗意波长比离子间距大得多

  D.在金属的温度趋于r=OK时，自由电子的速率也趋于零

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• 4(I)在温度为T的金属中，自由电子的平均动能比大很多倍，对这一现象的解释是：（）

  A.测不准原理

  B.相对论B.波粒二象性 D.泡利不相容原理

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• 5宜接证实了电子自旋存在的最早的实验之一是（）

  A.康普顿实验

  B.卢瑟福实验

  C.戴维孙-革末实验

  D.施特恩-格拉赫实验

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• 6对于3衰变的理解，下列说法正确的是（）

  A.B袞变是指核放出电子的过程

  B.R衰变是核内电子或正电子从核内逃逸即势垒穿透的过程

  C.R衰变是核内中子与质子相互变换的结果

  D.B衰变过程不会伴随光子的发射

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• 7下列说法中，哪一个是正确的？（）

  A.物体加速度越大,则速度越大

  B.斜向上抛的物体，在最高点处的速度最小,加速度最大

  C.物体作曲线运动时，有可能在某时刻的法向加速度为零

  D.一质点在某时刻的瞬时速度是2 m/s,说明它在此后1 s内一定要经过2 m的路程•

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• 8有一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为r = at1i+bt2j,其中 7 为常量，则该质 点作（）

  A.匀速直线运动

  B.变速直线运动

  C.抛物线运动

  D.一般曲线运动

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• 9如图所示，假设物体沿着竖直面上圆弧形轨道下滑，轨道是光滑的，在 从A至C的下滑过程中，下面说法正确的是（）

  A.它的速率均匀增加

  B.它的合外力大小不变

  C.轨道支持力的大小不断増加

  D.它的合外力大小变化，方向永远指向圆心

  E.它的加速度大小不变，方向永远指向圆心

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• 10如图所示，一圆盘绕过盘心且与盘面垂直的光滑固定轴0以角速度c转动.若圆盘按图示方向 转动，现将两个大小相等方向相反但不在同一条直线的力F沿盘而同时作用 到圆盘上，则圆盘的角速度（）

  A.必然增大

  B.必然减小

  C.不会改变

  D.如何变化不能确定

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