n型半导体中，由杂质原子所形成杂质能级在能带结构中应处于（）

试卷相关题目

• 1对于金属中的自由电子气，下面看法正确的是（）

  A.自由电子处于一个三维的无限深方势阱中，在势阱内不受力的作用

  B.自由电子气中每个电子的平均平动动能等于3化772,T为金属的温度

  C.自由电子的德布罗意波长比离子间距大得多

  D.在金属的温度趋于r=OK时，自由电子的速率也趋于零

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• 2(I)在温度为T的金属中，自由电子的平均动能比大很多倍，对这一现象的解释是：（）

  A.测不准原理

  B.相对论B.波粒二象性 D.泡利不相容原理

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• 3宜接证实了电子自旋存在的最早的实验之一是（）

  A.康普顿实验

  B.卢瑟福实验

  C.戴维孙-革末实验

  D.施特恩-格拉赫实验

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• 4关于不确定关系，有以下几种理解：①粒子的动量不可能确定 ②粒子的坐标不可能确定 ③粒子的动量和坐标不可能同时准确地确定 ④不确定关系不仅适用于电子和光子，也适用于其他粒子其中正确的是：（）

  A.①，②

  B.②，④

  C.③，④

  D.①，④.

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• 5电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后，其德布罗意波长是 （）04 n m,则U约为

  A.150 V

  B.330 V

  C.630 V

  D.940 V

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• 6下列说法正确的是（）

  A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体只有一种载流子(电子或 空穴)参与导电

  B.杂质半导体中，电子与空穴两种载流子的整体对半导体的导电性有相同的贡献

  C.n型半导体中载流子电子对导电性能的贡献大，是由于载流子电子数比载流子空穴数多

  D.一个载流子电子比一个载流子空穴对半导体的导电性能的贡献大，所以同样载流子浓度的n 型半导体比P型半导体导电性能好.

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• 7关于a袞变，下列说法不正确的是（）

  A.a衰变是*He核从衰变核内逃逸即势垒穿透的过程

  B.同一放射源放射出的a粒子能量一定相同

  C.a衰变往往有Y衰变伴随

  D.a放射源的a衰变的半衰期可以有很大不同

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• 8对于3衰变的理解，下列说法正确的是（）

  A.B袞变是指核放出电子的过程

  B.R衰变是核内电子或正电子从核内逃逸即势垒穿透的过程

  C.R衰变是核内中子与质子相互变换的结果

  D.B衰变过程不会伴随光子的发射

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• 9下列说法中，哪一个是正确的？（）

  A.物体加速度越大,则速度越大

  B.斜向上抛的物体，在最高点处的速度最小,加速度最大

  C.物体作曲线运动时，有可能在某时刻的法向加速度为零

  D.一质点在某时刻的瞬时速度是2 m/s,说明它在此后1 s内一定要经过2 m的路程•

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• 10有一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为r = at1i+bt2j,其中 7 为常量，则该质 点作（）

  A.匀速直线运动

  B.变速直线运动

  C.抛物线运动

  D.一般曲线运动

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