如图所示,假设物体沿着竖直面上圆弧形轨道下滑,轨道是光滑的,在 从A至C的下滑过程中,下面说法正确的是()
A.它的速率均匀增加
B.它的合外力大小不变
C.轨道支持力的大小不断増加
D.它的合外力大小变化,方向永远指向圆心
E.它的加速度大小不变,方向永远指向圆心
试卷相关题目
- 1有一质点在平面上运动,已知质点位置矢量的表示式为r = at1i+bt2j,其中 7 为常量,则该质 点作()
A.匀速直线运动
B.变速直线运动
C.抛物线运动
D.一般曲线运动
开始考试点击查看答案 - 2下列说法中,哪一个是正确的?()
A.物体加速度越大,则速度越大
B.斜向上抛的物体,在最高点处的速度最小,加速度最大
C.物体作曲线运动时,有可能在某时刻的法向加速度为零
D.一质点在某时刻的瞬时速度是2 m/s,说明它在此后1 s内一定要经过2 m的路程•
开始考试点击查看答案 - 3对于3衰变的理解,下列说法正确的是()
A.B袞变是指核放出电子的过程
B.R衰变是核内电子或正电子从核内逃逸即势垒穿透的过程
C.R衰变是核内中子与质子相互变换的结果
D.B衰变过程不会伴随光子的发射
开始考试点击查看答案 - 4关于a袞变,下列说法不正确的是()
A.a衰变是*He核从衰变核内逃逸即势垒穿透的过程
B.同一放射源放射出的a粒子能量一定相同
C.a衰变往往有Y衰变伴随
D.a放射源的a衰变的半衰期可以有很大不同
开始考试点击查看答案 - 5下列说法正确的是()
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子(电子或 空穴)参与导电
B.杂质半导体中,电子与空穴两种载流子的整体对半导体的导电性有相同的贡献
C.n型半导体中载流子电子对导电性能的贡献大,是由于载流子电子数比载流子空穴数多
D.一个载流子电子比一个载流子空穴对半导体的导电性能的贡献大,所以同样载流子浓度的n 型半导体比P型半导体导电性能好.
开始考试点击查看答案 - 6如图所示,一圆盘绕过盘心且与盘面垂直的光滑固定轴0以角速度c转动.若圆盘按图示方向 转动,现将两个大小相等方向相反但不在同一条直线的力F沿盘而同时作用 到圆盘上,则圆盘的角速度()
A.必然增大
B.必然减小
C.不会改变
D.如何变化不能确定
开始考试点击查看答案 - 7有一宇宙飞船相对于地球以0. 8c(c表示真空中光速)的速度飞行.现在一光脉冲从船尾传到船 头,已知飞船上的观察者测得飞船长为90 m,则地球上的观察者测得光脉冲从船尾发出和到达船头两 个事件的空间间隔为()
A.54 m
B.90 Bl
C.150 m
D.270 m
开始考试点击查看答案 - 8如图所示,两个大小不同的容器用均匀的细管相连,管中有一水. 银滴作活塞,大容器装有氧气,小容器装有氢气•当温度相同时,水银滴 静止于细管中央,则此时这两种气体中()
A.密度一样大
B.氧气的密度较大
C.氢气的密度较大
D.哪种气体的密度较大是无法判断的
开始考试点击查看答案 - 9一瓶氮气和一瓶氮气密度相同,分子平均平动动能相同,而且它们都处于平衡状态,则它们()
A.温度相同,压强相同
B.温度、压强都不相同
C.温度相同,但氮气的压强大于氮气的压强
D.温度相同,但氮气的压强小于氮气的压强
开始考试点击查看答案 - 10气缸内盛有一定量的氢气(可视为理想气体),当温度不变而压强增大一倍时,氢气分子的平均 碰撞频率万和平均自由程厂的变化情况是()
A.万和厂都增大一倍
B.万和厂都减为原来的二半
C.万增大一倍而厂减为原来的一半
D.万减为原来的一半而厂增大一倍
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