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下列说法正确的是()

发布时间:2021-12-29

A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子(电子或 空穴)参与导电

B.杂质半导体中,电子与空穴两种载流子的整体对半导体的导电性有相同的贡献

C.n型半导体中载流子电子对导电性能的贡献大,是由于载流子电子数比载流子空穴数多

D.一个载流子电子比一个载流子空穴对半导体的导电性能的贡献大,所以同样载流子浓度的n 型半导体比P型半导体导电性能好.

试卷相关题目

  • 1n型半导体中,由杂质原子所形成杂质能级在能带结构中应处于()

    A.价带中

    B.导带中

    C.禁带中,但接近价带顶

    D.禁带中,但接近导带顶

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  • 2对于金属中的自由电子气,下面看法正确的是()

    A.自由电子处于一个三维的无限深方势阱中,在势阱内不受力的作用

    B.自由电子气中每个电子的平均平动动能等于3化772,T为金属的温度

    C.自由电子的德布罗意波长比离子间距大得多

    D.在金属的温度趋于r=OK时,自由电子的速率也趋于零

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  • 3(I)在温度为T的金属中,自由电子的平均动能比大很多倍,对这一现象的解释是:()

    A.测不准原理

    B.相对论B.波粒二象性 D.泡利不相容原理

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  • 4宜接证实了电子自旋存在的最早的实验之一是()

    A.康普顿实验

    B.卢瑟福实验

    C.戴维孙-革末实验

    D.施特恩-格拉赫实验

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  • 5关于不确定关系,有以下几种理解:①粒子的动量不可能确定 ②粒子的坐标不可能确定 ③粒子的动量和坐标不可能同时准确地确定 ④不确定关系不仅适用于电子和光子,也适用于其他粒子其中正确的是:()

    A.①,②

    B.②,④

    C.③,④

    D.①,④.

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  • 6关于a袞变,下列说法不正确的是()

    A.a衰变是*He核从衰变核内逃逸即势垒穿透的过程

    B.同一放射源放射出的a粒子能量一定相同

    C.a衰变往往有Y衰变伴随

    D.a放射源的a衰变的半衰期可以有很大不同

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  • 7对于3衰变的理解,下列说法正确的是()

    A.B袞变是指核放出电子的过程

    B.R衰变是核内电子或正电子从核内逃逸即势垒穿透的过程

    C.R衰变是核内中子与质子相互变换的结果

    D.B衰变过程不会伴随光子的发射

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  • 8下列说法中,哪一个是正确的?()

    A.物体加速度越大,则速度越大

    B.斜向上抛的物体,在最高点处的速度最小,加速度最大

    C.物体作曲线运动时,有可能在某时刻的法向加速度为零

    D.一质点在某时刻的瞬时速度是2 m/s,说明它在此后1 s内一定要经过2 m的路程•

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  • 9有一质点在平面上运动,已知质点位置矢量的表示式为r = at1i+bt2j,其中 7 为常量,则该质 点作()

    A.匀速直线运动

    B.变速直线运动

    C.抛物线运动

    D.一般曲线运动

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  • 10如图所示,假设物体沿着竖直面上圆弧形轨道下滑,轨道是光滑的,在 从A至C的下滑过程中,下面说法正确的是()

    A.它的速率均匀增加

    B.它的合外力大小不变

    C.轨道支持力的大小不断増加

    D.它的合外力大小变化,方向永远指向圆心

    E.它的加速度大小不变,方向永远指向圆心

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