用QSI电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（   ）。

试卷相关题目

• 1能有效判别设备绝缘中的集中性缺陷的试验方法是（   ）。

  A.测量tanδ

  B.测量吸收比

  C.测量泄漏电流

  D.测量绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 2以下关于电介质损耗角正切值tanδ说法错误的是（   ）。

  A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的，则用测tanδ反应不灵敏。

  B.测量tanδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷（全面老化），小容量试品中的严重局部缺陷。

  C.tanδ随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化程度。

  D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备，实现样品的对地绝缘。

  开始考试点击查看答案
• 3当整个绝缘全面老化时，有效地实验判断方法是（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 4唯一能够直接测量高达数兆伏的各类高压峰值的测量装置是（   ）。

  A.球隙

  B.电容分压器配用低压仪表

  C.静电电压表

  D.高阻值电阻串联微安表

  开始考试点击查看答案
• 5测量绝缘电阻和测量泄漏电流最主要的区别是（   ）。

  A.试验原理不同

  B.加压时间不同

  C.电压大小不同

  D.试验设备不同

  开始考试点击查看答案
• 6测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（   ）。

  A.整体受潮

  B.整体劣化

  C.小体积试品的局部缺陷

  D.大体积试品的局部缺陷

  开始考试点击查看答案
• 7下列试验中，属于破坏性试验的是（   ）。

  A.绝缘电阻试验

  B.冲击耐压试验

  C.泄漏电流试验

  D.局部放电试验

  开始考试点击查看答案
• 8绝缘电阻的测量可以发现绝缘（   ）。

  A.介质内含气泡

  B.介质已经受潮

  C.介质分布不均匀

  D.介质局部磨损

  开始考试点击查看答案
• 9绝缘缺陷分为分布性缺陷和（   ）缺陷。

  A.分布性

  B.破坏性

  C.集中性

  D.整体性

  开始考试点击查看答案
• 10绝缘电阻表输出的电压是（   ）电压。

  A.直流

  B.正弦交流

  C.脉动的直流

  D.非正弦交流

  开始考试点击查看答案