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- 1以下关于电介质损耗角正切值tanδ说法错误的是( )。
A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的,则用测tanδ反应不灵敏。
B.测量tanδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷(全面老化),小容量试品中的严重局部缺陷。
C.tanδ随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮,含有气泡及老化程度。
D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备,实现样品的对地绝缘。
开始考试点击查看答案 - 2当整个绝缘全面老化时,有效地实验判断方法是( )。
A.测泄漏电流
B.测直流电阻
C.测介质损耗因数
D.测绝缘电阻
开始考试点击查看答案 - 3唯一能够直接测量高达数兆伏的各类高压峰值的测量装置是( )。
A.球隙
B.电容分压器配用低压仪表
C.静电电压表
D.高阻值电阻串联微安表
开始考试点击查看答案 - 4测量绝缘电阻和测量泄漏电流最主要的区别是( )。
A.试验原理不同
B.加压时间不同
C.电压大小不同
D.试验设备不同
开始考试点击查看答案 - 5以下关于局部放电测量的说法错误的是( )。
A.局部放电的测量能测出绝缘内部是否存在气泡、空隙、杂质等缺陷
B.绝缘中的局部放电是引起电介质老化的重要原因之一
C.视在放电量是表征局部放电的唯一参数
D.放电重复率与外加电压的大小有关,外加电压增大时,放电次数也随之增多
开始考试点击查看答案 - 6用QSI电桥测量介质损耗角正切,可以灵敏地发现( )。
A.绝缘普遍性受潮
B.绝缘局部磨损
C.绝缘的局部受潮
D.绝缘中有小气泡
开始考试点击查看答案 - 7测量介质损耗因数,通常不能发现的设备绝缘缺陷是( )。
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
开始考试点击查看答案 - 8下列试验中,属于破坏性试验的是( )。
A.绝缘电阻试验
B.冲击耐压试验
C.泄漏电流试验
D.局部放电试验
开始考试点击查看答案 - 9绝缘电阻的测量可以发现绝缘( )。
A.介质内含气泡
B.介质已经受潮
C.介质分布不均匀
D.介质局部磨损
开始考试点击查看答案 - 10绝缘缺陷分为分布性缺陷和( )缺陷。
A.分布性
B.破坏性
C.集中性
D.整体性
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