绝缘电阻的测量可以发现绝缘（   ）。

试卷相关题目

• 1下列试验中，属于破坏性试验的是（   ）。

  A.绝缘电阻试验

  B.冲击耐压试验

  C.泄漏电流试验

  D.局部放电试验

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• 2测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（   ）。

  A.整体受潮

  B.整体劣化

  C.小体积试品的局部缺陷

  D.大体积试品的局部缺陷

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• 3用QSI电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（   ）。

  A.绝缘普遍性受潮

  B.绝缘局部磨损

  C.绝缘的局部受潮

  D.绝缘中有小气泡

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• 4能有效判别设备绝缘中的集中性缺陷的试验方法是（   ）。

  A.测量tanδ

  B.测量吸收比

  C.测量泄漏电流

  D.测量绝缘电阻

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• 5以下关于电介质损耗角正切值tanδ说法错误的是（   ）。

  A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的，则用测tanδ反应不灵敏。

  B.测量tanδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷（全面老化），小容量试品中的严重局部缺陷。

  C.tanδ随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化程度。

  D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备，实现样品的对地绝缘。

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• 6绝缘缺陷分为分布性缺陷和（   ）缺陷。

  A.分布性

  B.破坏性

  C.集中性

  D.整体性

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• 7绝缘电阻表输出的电压是（   ）电压。

  A.直流

  B.正弦交流

  C.脉动的直流

  D.非正弦交流

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• 8绝缘电阻的测量值获取加压（   ）s。

  A.15

  B.30

  C.45

  D.60

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• 9下列选项中，（   ）属于非破坏性试验。

  A.直流耐压试验

  B.交流耐压试验

  C.操作冲击耐压试验

  D.绝缘电阻试验

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• 10测量介损时，实验室内的测试材料及小设备，一般用（   ）。

  A.反接线

  B.正接线

  C.都行

  D.视情况而定

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