测量绝缘电阻和测量泄漏电流最主要的区别是（   ）。

试卷相关题目

• 1以下关于局部放电测量的说法错误的是（   ）。

  A.局部放电的测量能测出绝缘内部是否存在气泡、空隙、杂质等缺陷

  B.绝缘中的局部放电是引起电介质老化的重要原因之一

  C.视在放电量是表征局部放电的唯一参数

  D.放电重复率与外加电压的大小有关，外加电压增大时，放电次数也随之增多

  开始考试点击查看答案
• 2当整个绝缘普遍劣化，大面积受潮时，有效的试验判断方法是的（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 3非破坏性试验是（   ）。

  A.直流耐压试验

  B.工频耐压试验

  C.电压分布试验

  D.冲击高压试验

  开始考试点击查看答案
• 4当整个绝缘全面老化时，有效的试验判断方法是（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 5现场用西林电桥测试设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步、电桥测量无法平衡，应采用的正确方法是（   ）。

  A.桥体加反干扰电源

  B.将试验电源移相或选相、倒相

  C.改用与干扰电源同步的电源作为试验电源

  D.将电桥移位，远离干扰电源

  开始考试点击查看答案
• 6唯一能够直接测量高达数兆伏的各类高压峰值的测量装置是（   ）。

  A.球隙

  B.电容分压器配用低压仪表

  C.静电电压表

  D.高阻值电阻串联微安表

  开始考试点击查看答案
• 7当整个绝缘全面老化时，有效地实验判断方法是（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 8以下关于电介质损耗角正切值tanδ说法错误的是（   ）。

  A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的，则用测tanδ反应不灵敏。

  B.测量tanδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷（全面老化），小容量试品中的严重局部缺陷。

  C.tanδ随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化程度。

  D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备，实现样品的对地绝缘。

  开始考试点击查看答案
• 9能有效判别设备绝缘中的集中性缺陷的试验方法是（   ）。

  A.测量tanδ

  B.测量吸收比

  C.测量泄漏电流

  D.测量绝缘电阻

  开始考试点击查看答案
• 10用QSI电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（   ）。

  A.绝缘普遍性受潮

  B.绝缘局部磨损

  C.绝缘的局部受潮

  D.绝缘中有小气泡

  开始考试点击查看答案