使晶闸管关断的方法有（)。

试卷相关题目

• 1晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。

  A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小

  B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大

  C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大

  D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小

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• 2下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）

  A.控制电路

  B.检测电路

  C.驱动电路

  D.主电路

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• 3电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)

  A.通态压降降低

  B.通态损耗下降

  C.关断时间延长

  D.开关损耗下降

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• 4晶闸管的临界导通条件为（）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 5IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

  A.GTR 驱动的 MOSFET

  B.MOSFET 驱动的 GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET 驱动的 GTO

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• 6由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。

  A.零偏置

  B.正向偏置

  C.反向偏置

  D.转向偏置

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• 7下列属于晶闸管的派生器件的选项是（）。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.门极可关断晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 8在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）

  A.放大区

  B.截止区

  C.饱和区

  D.开关区

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• 9

  下列选项属于MOSFET的特点有（）。

  A.开关速度快

  B.驱动频率髙

  C.电压高

  D.驱动功率小

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• 10

  MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

  A.不饱和区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.有源区

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