晶闸管的临界导通条件为（）

试卷相关题目

• 1IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

  A.GTR 驱动的 MOSFET

  B.MOSFET 驱动的 GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET 驱动的 GTO

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• 2要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

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• 3

  为了减少门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。

  A.直流

  B.正弦波

  C.正脉冲

  D.负脉冲

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• 4下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。

  A.额定电压

  B.额定电流

  C.维持电流

  D.静态参数

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• 5电力MOSFET是用（）来控制漏极电流的。

  A.栅极电压

  B.漏极电压

  C.源极电压

  D.基极电压

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• 6电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)

  A.通态压降降低

  B.通态损耗下降

  C.关断时间延长

  D.开关损耗下降

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• 7下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）

  A.控制电路

  B.检测电路

  C.驱动电路

  D.主电路

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• 8晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。

  A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小

  B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大

  C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大

  D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小

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• 9使晶闸管关断的方法有（)。

  A.给门极施加反压

  B.去掉阳极的正向电压

  C.增大回路阻抗

  D.给阳极施加反压

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• 10由于结电容的存在，电力二极管需要在下面（）状态进行转换。

  A.零偏置

  B.正向偏置

  C.反向偏置

  D.转向偏置

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