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晶闸管的控制电流与转折电压的关系,下列说法错误的是()。

发布时间:2022-11-29

A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小

B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大

C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大

D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小

试卷相关题目

  • 1下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。()

    A.控制电路

    B.检测电路

    C.驱动电路

    D.主电路

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  • 2电导调制效应对半导体器件的影响不包括()

    A.通态压降降低

    B.通态损耗下降

    C.关断时间延长

    D.开关损耗下降

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  • 3晶闸管的临界导通条件为()

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 4IGBT是一个复合型的器件,它是()。

    A.GTR 驱动的 MOSFET

    B.MOSFET 驱动的 GTR

    C.MOSFET驱动的晶闸管

    D.MOSFET 驱动的 GTO

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  • 5要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()。

    A.在栅极加正电压

    B.在集电极加正电压

    C.在栅极加负电压

    D.在集电极加负电压

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  • 6使晶闸管关断的方法有()。

    A.给门极施加反压

    B.去掉阳极的正向电压

    C.增大回路阻抗

    D.给阳极施加反压

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  • 7由于结电容的存在,电力二极管需要在下面()状态进行转换。

    A.零偏置

    B.正向偏置

    C.反向偏置

    D.转向偏置

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  • 8下列属于晶闸管的派生器件的选项是()。

    A.快速晶闸管

    B.双向晶闸管

    C.门极可关断晶闸管

    D.光控晶闸管

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  • 9在电力电子电路中,GTR工作在开关状态,即工作区和区。()

    A.放大区

    B.截止区

    C.饱和区

    D.开关区

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  • 10

    下列选项属于MOSFET的特点有()。

    A.开关速度快

    B.驱动频率髙

    C.电压高

    D.驱动功率小

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