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IGBT是一个复合型的器件,它是()。

发布时间:2022-11-29

A.GTR 驱动的 MOSFET

B.MOSFET 驱动的 GTR

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET 驱动的 GTO

试卷相关题目

  • 1要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()。

    A.在栅极加正电压

    B.在集电极加正电压

    C.在栅极加负电压

    D.在集电极加负电压

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  • 2

    为了减少门极损耗,晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压,门极加()。

    A.直流

    B.正弦波

    C.正脉冲

    D.负脉冲

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  • 3下列不是晶闸管的主要参数的选项是()。

    A.额定电压

    B.额定电流

    C.维持电流

    D.静态参数

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  • 4电力MOSFET是用()来控制漏极电流的。

    A.栅极电压

    B.漏极电压

    C.源极电压

    D.基极电压

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  • 5釆用()是电力电子装置中最有效.应用最广的一种过电流保护措施。

    A.直流断路器

    B.交流断路器

    C.快速熔断器

    D.过电流继电器

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  • 6晶闸管的临界导通条件为()

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 7电导调制效应对半导体器件的影响不包括()

    A.通态压降降低

    B.通态损耗下降

    C.关断时间延长

    D.开关损耗下降

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  • 8下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。()

    A.控制电路

    B.检测电路

    C.驱动电路

    D.主电路

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  • 9晶闸管的控制电流与转折电压的关系,下列说法错误的是()。

    A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小

    B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大

    C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大

    D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小

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  • 10使晶闸管关断的方法有()。

    A.给门极施加反压

    B.去掉阳极的正向电压

    C.增大回路阻抗

    D.给阳极施加反压

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