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二极管的导通条件是( )。

发布时间:2021-12-27

A.«D>0

B.uD>死区电压

C.md>击穿电压

D.wD<死区电压

试卷相关题目

  • 1锗二极管的导通电压( ),死区电压( ),硅二极管的导通电压( ),死区电压( )。

    A.0. 7V

    B.0.2V

    C.0.3V

    D.0.5V

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  • 2二极管的正向电阻( )反向电阻。

    A.大于

    B.远小于

    C.等于

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  • 3当扩散电流( )漂移电流时,PN结达到动态平衡。

    A.大于

    B.小于

    C.等于

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  • 4PN结中扩散电流的方向是( ),漂移电流的方向是( )。

    A.从P区到N区

    B.从N区到P区

    C.从电源负极到电源正极

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  • 5 P型半导体中的多数载流子是()。

    A.自由电子

    B.空穴

    C.正离子

    D.负离子

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  • 6当温度升髙时,二极管的正向电压( ),反向电流( )。

    A.增大

    B.减小

    C.基本不变

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  • 7把一^二极管直接同一^电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该管()。

    A.击穿

    B.电流为零

    C.电流正常

    D.电流过大使管子烧坏1-11电路如图M5所示,VD,和VD2是硅管,输出电压R应为( )。A. 0.7V B. 7.3VC. 8VD. 8.7V

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  • 8由锗二极管VD、电源£=1.5V和电阻/? = 3kft组成的电路如图1-16所示,该电 路中的电流值是( )。

    B.0.27mA

    C.0.4mA

    D.0.5mA

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  • 9稳压电路如图1-18所示,稳压管的稳压值均为f/z=6.3V,正向导通压降f/D=0.7V, 其输出电压为()0

    A.6.3V

    B.0.7V

    C.7V

    D.14V

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  • 10工作在放大区的某晶体管,当/BW2(VA增大 到40pA时,/c从1mA变为2mA,则其/3值约为( )。

    A.10

    B.50

    C.100

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