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电力电子专项试卷三

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥20.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:0
  • 作答时间:0分钟

试卷介绍

试卷预览

  • 21 随着电力电子器件工作频率的提高,下列哪种损耗明显提高(      )。

    A.导通损耗

    B.关断损耗

    C.开关损耗

    D.局部增加

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  • 22 反向恢复时间一般在5微秒以上的电力二极管是(      )。

    A.肖特基二极管

    B.整流二极管

    C.快恢复二极管

    D.续流二极管

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  • 23 电力二极管存在动态特性的原因是(      )。

    A.寄生电感

    B.寄生电阻

    C.反向漏电流

    D.结电容

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  • 24 当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时(      )。

    A.没有反向漏电流

    B.只有极小的反向漏电流

    C.反向漏电源很大

    D.由门极电流决定

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  • 25功率器件一旦导通,无论门极控制信号为零或为负时,功率器件都将工作在导通状态的是(      )。

    A.GTO

    B.SCR

    C.GTR

    D.IGBT

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  • 26 晶闸管在导通状态下,器件导通损耗等于其两瑞电压乘以(      )。

    A.阳极电流

    B.门极电流

    C.阳极电流与门极电流之和

    D.阳极电流与门极电流之差

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  • 27 下列不属于全控型器件典型代表的是(      )。

    A.电力晶体管

    B.晶闸管

    C.电力场效应晶体管

    D.绝缘栅双极晶体管

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  • 28 GTO的(      )结构,使得其比普通晶闸管开通过程更快。

    A.垂直导电结构

    B.晶体管模型

    C.达林顿结构

    D.多元集成

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  • 29 (      )的关断时间一般指储存时间和下降时间之和,不包括尾部时间。

    A.Power MOSFET

    B.SCR

    C.GTO

    D.IGBT

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  • 30 电力晶体管(GTR)是一种(      )结构的半导体器件。

    A.四层三端

    B.五层三端

    C.三层二端

    D.三层三端

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