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 GTO的(      )结构,使得其比普通晶闸管开通过程更快。

发布时间:2024-09-28

A.垂直导电结构

B.晶体管模型

C.达林顿结构

D.多元集成

试卷相关题目

  • 1 下列不属于全控型器件典型代表的是(      )。

    A.电力晶体管

    B.晶闸管

    C.电力场效应晶体管

    D.绝缘栅双极晶体管

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  • 2 晶闸管在导通状态下,器件导通损耗等于其两瑞电压乘以(      )。

    A.阳极电流

    B.门极电流

    C.阳极电流与门极电流之和

    D.阳极电流与门极电流之差

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  • 3功率器件一旦导通,无论门极控制信号为零或为负时,功率器件都将工作在导通状态的是(      )。

    A.GTO

    B.SCR

    C.GTR

    D.IGBT

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  • 4 当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时(      )。

    A.没有反向漏电流

    B.只有极小的反向漏电流

    C.反向漏电源很大

    D.由门极电流决定

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  • 5 电力二极管存在动态特性的原因是(      )。

    A.寄生电感

    B.寄生电阻

    C.反向漏电流

    D.结电容

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  • 6 (      )的关断时间一般指储存时间和下降时间之和,不包括尾部时间。

    A.Power MOSFET

    B.SCR

    C.GTO

    D.IGBT

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  • 7 电力晶体管(GTR)是一种(      )结构的半导体器件。

    A.四层三端

    B.五层三端

    C.三层二端

    D.三层三端

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  • 8 GTR工作时存在SOA,也称为(      )。

    A.线性放大区

    B.安全工作区

    C.饱和区

    D.截止区

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  • 9 Power MOSFET工作时,在截止区和(      )之间来回转换。

    A.放大区

    B.饱和区

    C.非饱和区

    D.安全工作区

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  • 10 绝缘栅双极晶体管综合(      )的优点。

    A.GTO与SCR

    B.GTR与GTO

    C.GTR与MOSFET

    D.SCR和MOSFET

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