试卷相关题目
- 1 GTO的( )结构,使得其比普通晶闸管开通过程更快。
A.垂直导电结构
B.晶体管模型
C.达林顿结构
D.多元集成
开始考试点击查看答案 - 2 下列不属于全控型器件典型代表的是( )。
A.电力晶体管
B.晶闸管
C.电力场效应晶体管
D.绝缘栅双极晶体管
开始考试点击查看答案 - 3 晶闸管在导通状态下,器件导通损耗等于其两瑞电压乘以( )。
A.阳极电流
B.门极电流
C.阳极电流与门极电流之和
D.阳极电流与门极电流之差
开始考试点击查看答案 - 4功率器件一旦导通,无论门极控制信号为零或为负时,功率器件都将工作在导通状态的是( )。
A.GTO
B.SCR
C.GTR
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 5 当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时( )。
A.没有反向漏电流
B.只有极小的反向漏电流
C.反向漏电源很大
D.由门极电流决定
开始考试点击查看答案 - 6 电力晶体管(GTR)是一种( )结构的半导体器件。
A.四层三端
B.五层三端
C.三层二端
D.三层三端
开始考试点击查看答案 - 7 GTR工作时存在SOA,也称为( )。
A.线性放大区
B.安全工作区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案 - 8 Power MOSFET工作时,在截止区和( )之间来回转换。
A.放大区
B.饱和区
C.非饱和区
D.安全工作区
开始考试点击查看答案 - 9 绝缘栅双极晶体管综合( )的优点。
A.GTO与SCR
B.GTR与GTO
C.GTR与MOSFET
D.SCR和MOSFET
开始考试点击查看答案 - 10 ( )是常用的主要电力电子器件中,工作频率最高的。
A.PowerDiode
B.SCR
C.Power MOSFET
D.IGBT
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