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电力电子器件

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥10.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:30
  • 作答时间:120分钟

试卷介绍

试卷预览

  • 1在系统开关频率不高(如工频)的情况下,()是电力电子器件功率损耗的主要成因。

    A.开通损耗

    B.关断损耗

    C.通态损耗

    D.开关损耗

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  • 2下列器件中,()是半控型器件。

    A.电力二极管

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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  • 3某品闸管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量,在电路中允许长期流过的实际电流的有效值I为().

    A.100A

    B.157A

    C.200A

    D.400A

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  • 4某电路中需要承受的反向最高峰值电压为220V,考虑2倍裕量,选择额定电压U为()的品闻管。

    A.220A

    B.282A

    C.440A

    D.564A

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  • 5晶闸管导通过程中,如果阳极电流达到()值,门极触发电流就可以撤掉,管子仍继续导通。

    A.额定电流

    B.擎住电流

    C.维持电流

    D.浪涌电流

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  • 6下面晶闸管的派生器件里,()经常用于交流调压电路。

    A.快速晶闸管

    B.双向晶闸管

    C.逆导晶闸管

    D.光控晶闸管

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  • 7下面晶闸管的派生器件里,()相当于将一个晶闸管与-一个二极管反并联。

    A.快速晶闸管

    B.双向晶闸管

    C.逆导晶闸管

    D.光控晶闸管

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  • 8下面的晶闸管中,()在高压大功率的场合,如高压直流输电和高压核聚变装置中,占据重要的地位。

    A.快連晶闸管

    B.双向晶闸管

    C.逆导晶闸管

    D.光控晶闸管

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  • 9下列器件中,()的开关频率是最高的。

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 10使用或储存电力MOSFET时,要注意栅源极间电压限制在()以内。

    A.20

    B.40

    C.50

    D.100

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