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电力电子器件

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥10.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:30
  • 作答时间:120分钟

试卷介绍

试卷预览

  • 11智能功事模块IPM往往专指()及其辅助器件与其保护和驱动电路的越装期成动

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 1220世纪90年代中期以来,逐渐形成了小功事(10kW以下)场合以()为主的周面,

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 13很多专家都认为,在未来十年内().都将保持其在电力电子技术尹的重要地位。

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO.

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  • 14下列新型电力电子器件中,()工作频率与电力MOSFET机当,功率容量比电力MOSFET大,因而适用于高频大功串场合。

    A.MCT

    B.SIT

    C.SItH

    D.IGCT

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  • 15下列新型电力电子器件中,()正在与IGBT竞争,试国取化GTO在兆瓦级以上场合的地位。

    A.MCT

    B.SIT

    C.SITH

    D.IGCT

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  • 1620世纪80年代中后期,出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为()

    A.功率模块

    B.功率集成电路

    C.智能NGBTS

    D.高压集成电路

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  • 17在10MVA以上或者数千伏以上的应用发款如果不需要自关断能力,()仍然是目前的首选器件。

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 18

    同处理信息的电子器件相比的电力电子器件一般具有如下特征:()

    A.处理电功事的能力比较大

    B.工作在开关状态:

    C.由信电子电路来控

    D..昝要安装散热器

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  • 19下列器件中,()是全控型器件。

    A.GTO

    B.晶闸管

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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  • 20下列器件中,()是电压驱动型器件。

    A.晶闸管

    B.GTO

    C.电力MOSFET

    D.IGBT

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