试卷相关题目
- 1电力MOSFET管的输出特性可分为()个三个区。
A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案 - 2IGBT可以视为( ) 和(省)按照达林顿结构组合而成的复合体。
A.SCR
B.GTR
C.GTO
D.Power MOSFET
开始考试点击查看答案 - 3晶闸管的非正常触发方式有( )。
A.阳极电压升高造成雪崩效应
B.门极电流触发
C.光触发
D.结温过高而触发
开始考试点击查看答案 - 4下列哪些电力电子器件是少子器件? ( )
A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.电力晶体管
D.绝缘栅型电力场效应晶体管
开始考试点击查看答案 - 5下列哪些电力电子器件是电平控制型的? ( )
A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 6晶闸管维持电流的含义是()。
A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流
B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S
C.维持晶闸管反向阻断的电流
D.是通态平均电流
开始考试点击查看答案 - 7GTO与普通晶闸管相比()。
A.导通时饱和程度较浅(此处需要更改为较浅)
B.开通过程更快
C.功耗更小
D.承受电流变化的能力更强
开始考试点击查看答案 - 8电力电子器件一般具有 的特征有()。
A.所能处理电功害的大小是其最重要的参数
B.一般工作在开关状态
C.一般需要信息电子电路来控制
D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器
开始考试点击查看答案 - 9下列哪些情况可能使晶闸管触发导通( )。
A.较高的阳极电压
B.较大的阳极电压变化率
C.较高的结温
D.光直接照射硅片
开始考试点击查看答案 - 10变压器漏抗对整流电路的影响有( )。
A.输出电压平均值降低
B.整流电路的工作状态增多
C.晶闸管的di/dt减少
D.换相时晶闸管电压出现缺口
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