电力MOSFET管的输出特性可分为（）个三个区。

试卷相关题目

• 1IGBT可以视为（ ） 和（省）按照达林顿结构组合而成的复合体。

  A.SCR

  B.GTR

  C.GTO

  D.Power MOSFET

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• 2晶闸管的非正常触发方式有（ ）。

  A.阳极电压升高造成雪崩效应

  B.门极电流触发

  C.光触发

  D.结温过高而触发

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• 3下列哪些电力电子器件是少子器件？ （ ）

  A.肖特基二极管

  B.晶闸管

  C.电力晶体管

  D.绝缘栅型电力场效应晶体管

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• 4下列哪些电力电子器件是电平控制型的？ （ ）

  A.SCR

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 5在我国的传统高压直流输电中，通常采用把2组三相桥式全控整流电路相位错开（ ）度，进行串联二重连接，组成（ ）脉波整流电路。

  A.20度

  B.30度

  C.6

  D.12

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• 6逆导晶闸管的特点是（）。

  A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成

  B.正向压降小

  C.额定结温高

  D.高温特性好

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• 7晶闸管维持电流的含义是（）。

  A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流

  B.如果阳极电流降至维持电流以下，则晶闸管进入正向阻断S

  C.维持晶闸管反向阻断的电流

  D.是通态平均电流

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• 8GTO与普通晶闸管相比（）。

  A.导通时饱和程度较浅（此处需要更改为较浅）

  B.开通过程更快

  C.功耗更小

  D.承受电流变化的能力更强

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• 9电力电子器件一般具有 的特征有（）。

  A.所能处理电功害的大小是其最重要的参数

  B.一般工作在开关状态

  C.一般需要信息电子电路来控制

  D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器

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• 10下列哪些情况可能使晶闸管触发导通（ ）。

  A.较高的阳极电压

  B.较大的阳极电压变化率

  C.较高的结温

  D.光直接照射硅片

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