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晶闸管的非正常触发方式有( )。

发布时间:2023-01-30

A.阳极电压升高造成雪崩效应

B.门极电流触发

C.光触发

D.结温过高而触发

试卷相关题目

  • 1下列哪些电力电子器件是少子器件? ( )

    A.肖特基二极管

    B.晶闸管

    C.电力晶体管

    D.绝缘栅型电力场效应晶体管

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  • 2下列哪些电力电子器件是电平控制型的? ( )

    A.SCR

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 3在我国的传统高压直流输电中,通常采用把2组三相桥式全控整流电路相位错开( )度,进行串联二重连接,组成( )脉波整流电路。

    A.20度

    B.30度

    C.6

    D.12

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  • 4在三相桥式全控整流电路中,负载电感足够大,则变压器二次侧相电流中不含( )次谐波?

    A.3

    B.5

    C.6

    D.7

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  • 5下列选项中属于间接全桥直流变流电路的缺点有( )。

    A.结构复杂

    B.成本高

    C.有直通问题,可靠性低

    D.需要复杂的多组隔离驱动电路

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  • 6IGBT可以视为( ) 和(省)按照达林顿结构组合而成的复合体。

    A.SCR

    B.GTR

    C.GTO

    D.Power MOSFET

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  • 7电力MOSFET管的输出特性可分为()个三个区。

    A.线性区

    B.非饱和区

    C.饱和区

    D.截止区

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  • 8逆导晶闸管的特点是()。

    A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成

    B.正向压降小

    C.额定结温高

    D.高温特性好

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  • 9晶闸管维持电流的含义是()。

    A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流

    B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S

    C.维持晶闸管反向阻断的电流

    D.是通态平均电流

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  • 10GTO与普通晶闸管相比()。

    A.导通时饱和程度较浅(此处需要更改为较浅)

    B.开通过程更快

    C.功耗更小

    D.承受电流变化的能力更强

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