试卷相关题目
- 1下列哪些电力电子器件是少子器件? ( )
A.肖特基二极管
B.晶闸管
C.电力晶体管
D.绝缘栅型电力场效应晶体管
开始考试点击查看答案 - 2下列哪些电力电子器件是电平控制型的? ( )
A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 3在我国的传统高压直流输电中,通常采用把2组三相桥式全控整流电路相位错开( )度,进行串联二重连接,组成( )脉波整流电路。
A.20度
B.30度
C.6
D.12
开始考试点击查看答案 - 4在三相桥式全控整流电路中,负载电感足够大,则变压器二次侧相电流中不含( )次谐波?
A.3
B.5
C.6
D.7
开始考试点击查看答案 - 5下列选项中属于间接全桥直流变流电路的缺点有( )。
A.结构复杂
B.成本高
C.有直通问题,可靠性低
D.需要复杂的多组隔离驱动电路
开始考试点击查看答案 - 6IGBT可以视为( ) 和(省)按照达林顿结构组合而成的复合体。
A.SCR
B.GTR
C.GTO
D.Power MOSFET
开始考试点击查看答案 - 7电力MOSFET管的输出特性可分为()个三个区。
A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案 - 8逆导晶闸管的特点是()。
A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成
B.正向压降小
C.额定结温高
D.高温特性好
开始考试点击查看答案 - 9晶闸管维持电流的含义是()。
A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流
B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S
C.维持晶闸管反向阻断的电流
D.是通态平均电流
开始考试点击查看答案 - 10GTO与普通晶闸管相比()。
A.导通时饱和程度较浅(此处需要更改为较浅)
B.开通过程更快
C.功耗更小
D.承受电流变化的能力更强
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