电力晶体管(GTR)是一种（      ）结构的半导体器件。

试卷相关题目

• 1 （      ）的关断时间一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。

  A.Power MOSFET

  B.SCR

  C.GTO

  D.IGBT

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• 2 GTO的（      ）结构，使得其比普通晶闸管开通过程更快。

  A.垂直导电结构

  B.晶体管模型

  C.达林顿结构

  D.多元集成

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• 3 下列不属于全控型器件典型代表的是（      ）。

  A.电力晶体管

  B.晶闸管

  C.电力场效应晶体管

  D.绝缘栅双极晶体管

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• 4 晶闸管在导通状态下，器件导通损耗等于其两瑞电压乘以（      ）。

  A.阳极电流

  B.门极电流

  C.阳极电流与门极电流之和

  D.阳极电流与门极电流之差

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• 5功率器件一旦导通，无论门极控制信号为零或为负时，功率器件都将工作在导通状态的是（      ）。

  A.GTO

  B.SCR

  C.GTR

  D.IGBT

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• 6 GTR工作时存在SOA，也称为（      ）。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

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• 7 Power MOSFET工作时，在截止区和（      ）之间来回转换。

  A.放大区

  B.饱和区

  C.非饱和区

  D.安全工作区

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• 8 绝缘栅双极晶体管综合（      ）的优点。

  A.GTO与SCR

  B.GTR与GTO

  C.GTR与MOSFET

  D.SCR和MOSFET

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• 9 （      ）是常用的主要电力电子器件中，工作频率最高的。

  A.PowerDiode

  B.SCR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 10 下列器件中为全控型器件的是（      ）。

  A.双向晶闸管

  B.快速晶闸管

  C.光速晶闸管

  D.绝缘栅双极性晶体管

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