晶闸管在导通状态下，器件导通损耗等于其两瑞电压乘以（      ）。

试卷相关题目

• 1功率器件一旦导通，无论门极控制信号为零或为负时，功率器件都将工作在导通状态的是（      ）。

  A.GTO

  B.SCR

  C.GTR

  D.IGBT

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• 2 当晶闸管正常工作处于反向阻断状态时（      ）。

  A.没有反向漏电流

  B.只有极小的反向漏电流

  C.反向漏电源很大

  D.由门极电流决定

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• 3 电力二极管存在动态特性的原因是（      ）。

  A.寄生电感

  B.寄生电阻

  C.反向漏电流

  D.结电容

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• 4 反向恢复时间一般在5微秒以上的电力二极管是（      ）。

  A.肖特基二极管

  B.整流二极管

  C.快恢复二极管

  D.续流二极管

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• 5 随着电力电子器件工作频率的提高，下列哪种损耗明显提高（      ）。

  A.导通损耗

  B.关断损耗

  C.开关损耗

  D.局部增加

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• 6 下列不属于全控型器件典型代表的是（      ）。

  A.电力晶体管

  B.晶闸管

  C.电力场效应晶体管

  D.绝缘栅双极晶体管

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• 7 GTO的（      ）结构，使得其比普通晶闸管开通过程更快。

  A.垂直导电结构

  B.晶体管模型

  C.达林顿结构

  D.多元集成

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• 8 （      ）的关断时间一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。

  A.Power MOSFET

  B.SCR

  C.GTO

  D.IGBT

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• 9 电力晶体管(GTR)是一种（      ）结构的半导体器件。

  A.四层三端

  B.五层三端

  C.三层二端

  D.三层三端

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• 10 GTR工作时存在SOA，也称为（      ）。

  A.线性放大区

  B.安全工作区

  C.饱和区

  D.截止区

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