电力电子强化练习电力电子器件

试卷预览

• 31要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。

  A.在栅极加正电压

  B.在集电极加正电压

  C.在栅极加负电压

  D.在集电极加负电压

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• 32IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

  A.GTR 驱动的 MOSFET

  B.MOSFET 驱动的 GTR

  C.MOSFET驱动的晶闸管

  D.MOSFET 驱动的 GTO

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• 33晶闸管的临界导通条件为（）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 34电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)

  A.通态压降降低

  B.通态损耗下降

  C.关断时间延长

  D.开关损耗下降

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• 35维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于（）

  A.维持电流

  B.擎住电流

  C.额定电流

  D.关断电流

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• 36下列器件中，没有电导调制效应的器件为（）

  A.IGBT

  B.GTR

  C.GT0

  D.电力 M0SFET

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• 37晶闸管额定电流描述正确的是：（）

  A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。

  B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。

  C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。

  D.允许流过最大方波电流的平均值。

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• 38工频正弦半波电流的波形系数为（）

  A.0.45

  B.0.9

  C.1.57

  D.11

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• 39关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。

  A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速

  B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长

  C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长

  D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快

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• 40下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）

  A.控制电路

  B.检测电路

  C.驱动电路

  D.主电路

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