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电力电子上岸必刷试卷3

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥20.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:0
  • 作答时间:0分钟

试卷介绍

试卷预览

  • 61【题目ID:61】.把直流电变成交流电的过程称为()。

    A.逆变

    B.整流

    C.斩波

    D.变频

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  • 62【题目ID:62】.在升压斩波电路中,已知电源电压= 16V,导通比等于1/3,则负载电压 =()。

    A.5.3V

    B.24 V

    C.12V

    D.10.7V

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  • 63【题目ID:63】.三相全控桥整流电路,为变压器副边相电压有效值,带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值,即。()

    A.正确

    B.错误

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  • 64【题目ID:64】.比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是()。

    A.IGBT

    B.MOSFET

    C.GTR

    D.GTO

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  • 65【题目ID:65】.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()。

    A.关断状态

    B.导通状态

    C.饱和状态

    D.不定

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  • 66【题目ID:66】.单相桥式全控整流电路,带纯电阻负载,变压器副边相电压有效值=200V,选择晶闸管时,晶闸管额定电压的合适值为()伏。

    A.141.4

    B.282.8

    C.800

    D.2000

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  • 67【题目ID:67】.在整流电路中,由于实际变压器绕组漏感的存在,因此换相过程不能瞬间完成。()

    A.正确

    B.错误

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  • 68【题目ID:68】.三相全控桥整流装置中一共用了()晶闸管.

    A.三只

    B.六只

    C.九只

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  • 69【题目ID:69】.智能功率模块IPM往往专指()及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装

    A.晶闸管

    B.电力MOSFET

    C.IGBT

    D.GTO

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  • 70【题目ID:70】.单相全桥逆变电路,直流侧电压为, 180°导电角的控制方式下,输出交流电压基波的幅值为()。

    A.1.27

    B.Q.9

    C.l.1

    D.0.78

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