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【题目ID:62】.在升压斩波电路中,已知电源电压= 16V,导通比等于1/3,则负载电压 =()。

发布时间:2024-10-12

A.5.3V

B.24 V

C.12V

D.10.7V

试卷相关题目

  • 1【题目ID:61】.把直流电变成交流电的过程称为()。

    A.逆变

    B.整流

    C.斩波

    D.变频

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  • 2【题目ID:60】.【多选题】电力MOSFET管的输出特性可分为()个三个区。

    A.线性区

    B.非饱和区

    C.饱和区

    D.截止区

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  • 3【题目ID:59】.升压斩波电路中,E=180V,R=10Ω,L值和C值极大,T=50us,=20us,采用脉宽调制控制方式。其输出负载电流平均值为()。

    A.45

    B.30

    C.7.2

    D.10.8

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  • 4【题目ID:58】.目前所用的电力电子器件均由硅半导体制成。()

    A.正确

    B.错误

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  • 5【题目ID:57】.三相半波可控整流电路,带阻感(电感足够大)负载工作,变压器副边相电压有效值U2=200V,触发角a=60°,电阻R=5Q,那么流过任一晶闸管的直流电流有效值为()

    A.A.7.8

    B.11.7

    C.13.5

    D.16.5

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  • 6【题目ID:63】.三相全控桥整流电路,为变压器副边相电压有效值,带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值,即。()

    A.正确

    B.错误

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  • 7【题目ID:64】.比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是()。

    A.IGBT

    B.MOSFET

    C.GTR

    D.GTO

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  • 8【题目ID:65】.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()。

    A.关断状态

    B.导通状态

    C.饱和状态

    D.不定

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  • 9【题目ID:66】.单相桥式全控整流电路,带纯电阻负载,变压器副边相电压有效值=200V,选择晶闸管时,晶闸管额定电压的合适值为()伏。

    A.141.4

    B.282.8

    C.800

    D.2000

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  • 10【题目ID:67】.在整流电路中,由于实际变压器绕组漏感的存在,因此换相过程不能瞬间完成。()

    A.正确

    B.错误

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