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电力电子技术多选题专项练习

推荐等级:
  • 卷面总分:100分
  • 试卷类型:真题试卷
  • 测试费用:¥10.00
  • 试卷答案:有
  • 练习次数:5
  • 作答时间:120分钟

试卷介绍

电力电子技术多选题专项练习

试卷预览

  • 91下列电力电子器件电,存在电导调制效应的是( )。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 92具有四层半导体结构的器件有()。

    A.晶闸管

    B.GTO

    C.Power MOSFET

    D.GTR

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  • 93GTO是全控型器件的原因是()。

    A.GTO采用多元集成结构

    B.门极和阴极之间的距离短

    C.导通时饱和程度较晶闸管低

    D.导通时饱和程度较晶闸管高

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  • 94POWER MOSFET的特点是( )。

    A.电压驱动型

    B.驱动功率小

    C.只适用于小功率场合

    D.单极型

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  • 95关于电力电子器件的描述,下 列说法中不正确的有( )。

    A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

    B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

    C.MOSFET工作在饱和区和截止区

    D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

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  • 96关于三相电压型桥式逆变电路的说法,正确的是( )。

    A.其直流侧可以看做一个直流电压源

    B.同一个桥臂上下两管可以同时导通

    C.每个开关器件导通180°

    D.其负载相电压中不含3次谐波

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  • 97衡量PWM控制方法优劣的标志有( )。

    A.输出波形中谐波的含量

    B.输出电压的幅值日

    C.直流电压的利用率

    D.器件开关次数

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