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关于电力电子器件的描述,下 列说法中不正确的有( )。

发布时间:2021-01-18

A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断

B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”

C.MOSFET工作在饱和区和截止区

D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区

试卷相关题目

  • 1POWER MOSFET的特点是( )。

    A.电压驱动型

    B.驱动功率小

    C.只适用于小功率场合

    D.单极型

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  • 2GTO是全控型器件的原因是()。

    A.GTO采用多元集成结构

    B.门极和阴极之间的距离短

    C.导通时饱和程度较晶闸管低

    D.导通时饱和程度较晶闸管高

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  • 3具有四层半导体结构的器件有()。

    A.晶闸管

    B.GTO

    C.Power MOSFET

    D.GTR

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  • 4下列电力电子器件电,存在电导调制效应的是( )。

    A.GTO

    B.GTR

    C.Power MOSFET

    D.IGBT

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  • 5下列对晶闸管特性的叙述中,正确的是()。

    A.晶闸管属于电流驱动双极型器件

    B.晶闸管触发导通后,门极就失去了控制作用

    C.晶闸管具有单向导龟性要

    D.晶闸管的擎住电流大于维持电流

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  • 6关于三相电压型桥式逆变电路的说法,正确的是( )。

    A.其直流侧可以看做一个直流电压源

    B.同一个桥臂上下两管可以同时导通

    C.每个开关器件导通180°

    D.其负载相电压中不含3次谐波

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  • 7衡量PWM控制方法优劣的标志有( )。

    A.输出波形中谐波的含量

    B.输出电压的幅值日

    C.直流电压的利用率

    D.器件开关次数

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