关于电力电子器件的描述,下 列说法中不正确的有( )。
发布时间:2021-01-18
A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断
B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”
C.MOSFET工作在饱和区和截止区
D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区
试卷相关题目
- 1POWER MOSFET的特点是( )。
A.电压驱动型
B.驱动功率小
C.只适用于小功率场合
D.单极型
开始考试点击查看答案 - 2GTO是全控型器件的原因是()。
A.GTO采用多元集成结构
B.门极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
开始考试点击查看答案 - 3具有四层半导体结构的器件有()。
A.晶闸管
B.GTO
C.Power MOSFET
D.GTR
开始考试点击查看答案 - 4下列电力电子器件电,存在电导调制效应的是( )。
A.GTO
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 5下列对晶闸管特性的叙述中,正确的是()。
A.晶闸管属于电流驱动双极型器件
B.晶闸管触发导通后,门极就失去了控制作用
C.晶闸管具有单向导龟性要
D.晶闸管的擎住电流大于维持电流
开始考试点击查看答案 - 6关于三相电压型桥式逆变电路的说法,正确的是( )。
A.其直流侧可以看做一个直流电压源
B.同一个桥臂上下两管可以同时导通
C.每个开关器件导通180°
D.其负载相电压中不含3次谐波
开始考试点击查看答案 - 7衡量PWM控制方法优劣的标志有( )。
A.输出波形中谐波的含量
B.输出电压的幅值日
C.直流电压的利用率
D.器件开关次数
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