试卷相关题目
- 1同处理信息的电子器件相比的电力电子器件一般具有如下特征:()
A.处理电功事的能力比较大
B.工作在开关状态:C由信电子电路来控D.昝要安装散热器
开始考试点击查看答案 - 2在10MVA以上或者数千伏以上的应用发款如果不需要自关断能力,()仍然是目前的首选器件。
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 320世纪80年代中后期,出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为()
A.功率模块
B.功率集成电路
C.智能NGBTS
D.高压集成电路
开始考试点击查看答案 - 4下列新型电力电子器件中,()正在与IGBT竞争,试国取化GTO在兆瓦级以上场合的地位。
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 5下列新型电力电子器件中,()工作频率与电力MOSFET机当,功率容量比电力MOSFET大,因而适用于高频大功串场合。
A.MCT
B.SIT
C.SItH
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 6下列器件中,()是电压驱动型器件。
A.晶闸管
B.GTO
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 7下列器件中,()是电流驱动型器件。
A.晶闸管
B.GTO
C.GTR
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 8下列器件中,()是双极型器件。
A.晶闸管
B.GTO
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 9下列新型器件中,()是复合型器件.
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 10晶闸管除了可以通过门极电流触发,还有以下几种误导通的情况:()。
A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应:
B.阳极电压上升率过高;
C.结温较高:
D.光直接照射硅片.
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