试卷相关题目
- 1功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电源既变的现象称为()。
A.一次击穿
B.三次击穿
C.临界他和
D.反向藏止
开始考试点击查看答案 - 2晶闸管并联时应注意()。
A.均压
B.均流急
C.分压
D.分流
开始考试点击查看答案 - 3三相桥式可控整流电感性负载电路中不接续流二极管,控制角α的最大移相范围是()。
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
开始考试点击查看答案 - 4双向晶闸管的额定电流值通常以()来定义。
A.最大值
B.平均值
C.有效值D任意值
开始考试点击查看答案 - 5若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法)。
A.增大三角波幅度
B.增大三角波频率
C.增大正弦调制波频率
D.增大正弦调制波幅度
开始考试点击查看答案 - 6比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 7比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 8比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.CTO
开始考试点击查看答案 - 9比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是()。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 10下列半导体器件中属于电流型控制的器件是()。
A.IPM
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
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