比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。

试卷相关题目

• 1比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 2180度导电型三相逆变器中，任时期有（）个晶间管同时导通。

  A.2

  B.3

  C.1

  D.4

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• 3功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电源既变的现象称为（）。

  A.一次击穿

  B.三次击穿

  C.临界他和

  D.反向藏止

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• 4晶闸管并联时应注意（）。

  A.均压

  B.均流急

  C.分压

  D.分流

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• 5三相桥式可控整流电感性负载电路中不接续流二极管，控制角α的最大移相范围是（）。

  A.90°

  B.120°

  C.150°

  D.180°

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• 6比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.CTO

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• 7比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。

  A.IGBT

  B.MOSFET

  C.GTR

  D.GTO

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• 8下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。

  A.IPM

  B.MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 9逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。

  A.晶闸管

  B.单结晶体管习

  C.电力晶体管

  D.绝缘栅双极型晶体管

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• 10电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

  A.直流

  B.低频

  C.中频

  D.高频

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