如图所示的四幅图中，正确标明了带正电的粒子所受洛伦兹力f方向的是(    )

试卷相关题目

• 1带电粒子以初速度v0从a点进入匀强磁场，如图所示.运动中经过b点，Oa=Ob，若撤去磁场加一个与y轴平行的匀强电场，仍以v0从a点进入电场，粒子仍能通过b点，那么电场强度E与磁感应强度B之比为（    ）

  A.选A

  B.选B

  C.选C

  D.选D

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• 2空间有一圆柱形匀强磁场区域，该区域的横截面的半径为R，磁场方向垂直横截面。一质量为m、电荷量为q（q＞0）的粒子以速率v0沿横截面的某直径射入磁场，离开磁场时速度方向偏离入射方向60°。不计重力，该磁场的磁感应强度大小为(    )

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 3如图所示，带有正电荷的A粒子和B粒子同时从匀强磁场的边界上的P点以等大的速度，以与边界成30°和60°的交角射入磁场，又恰好不从另一边界飞出，设边界上方的磁场范围足够大，下列说法中正确的是（ ）

  A.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为

  B.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为

  C.A、B两粒子的之比为

  D.A、B两粒子的之比为

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• 4如图所示，一个质量为m，电荷量为q的带电粒子（重力不计），沿着垂直磁场边界方向，在a点射入磁感强度为B.宽度为d的匀强磁场，粒子速度方向和B垂直，粒子从b点射出磁场，出射点与入射点a的竖直距离为．则．以下说法正确的是：（    ）

  A.此粒子一定带负电；

  B.粒子经过磁场时动能不变

  C.带电粒子射入磁场时的速率为

  D.粒子做圆周运动的轨迹半径等于

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• 5如图所示，MN是一荧光屏，当带电粒子打到荧光屏上时，荧光屏能够发光．MN的上方有磁感应强度为B的匀强磁场，磁场方向垂直纸面向里，P为屏上的一小孔，PQ与MN垂直．一群质量为m、带电荷量q的粒子（不计重力），以相同的速率v，从P点沿垂直于磁场方向射入磁场区域，其入射方向分布在以PQ为中心，夹角为2θ的范围内，不计粒子间的相互作用，以下说法正确的是（ ）

  A.荧光屏上将出现一圆形亮斑，其半径为

  B.荧光屏上将出现一条亮线，其长度为

  C.荧光屏上将出现一条亮线，其长度为

  D.荧光屏上将出现一条亮线，其最右端距P点为

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• 6如图所示，在内壁光滑、水平放置的玻璃圆环内，有一直径略小于环口径的带正电的小球，正以速率v0沿逆时针方向匀速转动。若在此空间突然加上方向竖直向上、磁感应强度B随时间成正比例增加的变化磁场，设运动过程中小球带的电荷量不变，那么(    )

  A.磁场力对小球一直做正功

  B.小球受到的磁场力不断增大

  C.小球先沿逆时针方向做减速运动，过一段时间后，再沿顺时针方向做加速运动

  D.小球仍做匀速圆周运动

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• 7半导体靠自由电子（带负电）和空穴（相当于带正电）导电，分为p型和n型两种。p型半导体中空穴为多数载流子；n型半导体中自由电子为多数载流子。现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型：将材料放在匀强磁场中，通以图示方向的电流I，用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低，则(    )

  A.若M电势高，就是p型半导体

  B.若M电势高，就是n型半导体

  C.若N电势高，就是p型半导体

  D.若N电势高，就是n型半导体

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• 8一束等离子体（含有大量带正电和带负电的微粒，都不考虑重力），沿图中箭头所示的方向垂直于磁场方向进入一匀强磁场，磁场方向垂直纸面，粒子运动的轨迹如图中b所示，则(    )

  A.a是带正电的微粒的运动轨迹

  B.b是带正电的微粒的运动轨迹

  C.a是带负电的微粒的运动轨迹

  D.a是带正电微粒及带负电微粒的共同轨迹

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• 9如图，在矩形区域abcd区域中，分布有垂直纸面向外的匀强磁场，ab长为L,在ab的中点P处有一电子发射源，出射电子速率取一切可能值，所有电子出射的速度方向均与ab成30°，下列说法正确的是（    ）

  A.只要初速度大小取合适的值，电子可以在磁场中做完整的圆周运动

  B.电子入射速度越大，在磁场中运动的时间一定越短

  C.从ad边出射的电子一定比从bc出射的粒子时间长

  D.当时，cd边无电子射出

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• 10如图，一束负离子从S点沿水平方向射出，在没有电、磁场时恰好击中荧光屏上的坐标原点O；若同时加上电场和磁场后，负离子束最后打在荧光屏上坐标系的第Ⅲ象限中，则所加电场E和磁场B的方向可能是（不计离子重力及相互作用力）（ ）

  A.E向上，B向上

  B.E向下，B向下

  C.E向上，B向下

  D.E向下，B向上

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