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如图所示,带有正电荷的A粒子和B粒子同时从匀强磁场的边界上的P点以等大的速度,以与边界成30°和60°的交角射入磁场,又恰好不从另一边界飞出,设边界上方的磁场范围足够大,下列说法中正确的是( )

发布时间:2020-11-13

A.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为

B.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为

C.A、B两粒子的之比为

D.A、B两粒子的之比为

试卷相关题目

  • 1如图所示,一个质量为m,电荷量为q的带电粒子(重力不计),沿着垂直磁场边界方向,在a点射入磁感强度为B.宽度为d的匀强磁场,粒子速度方向和B垂直,粒子从b点射出磁场,出射点与入射点a的竖直距离为.则.以下说法正确的是:(    )

    A.此粒子一定带负电;

    B.粒子经过磁场时动能不变

    C.带电粒子射入磁场时的速率为

    D.粒子做圆周运动的轨迹半径等于

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  • 2如图所示,MN是一荧光屏,当带电粒子打到荧光屏上时,荧光屏能够发光.MN的上方有磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直纸面向里,P为屏上的一小孔,PQ与MN垂直.一群质量为m、带电荷量q的粒子(不计重力),以相同的速率v,从P点沿垂直于磁场方向射入磁场区域,其入射方向分布在以PQ为中心,夹角为2θ的范围内,不计粒子间的相互作用,以下说法正确的是( )

    A.荧光屏上将出现一圆形亮斑,其半径为

    B.荧光屏上将出现一条亮线,其长度为

    C.荧光屏上将出现一条亮线,其长度为

    D.荧光屏上将出现一条亮线,其最右端距P点为

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  • 3如图所示,宽h=2cm的有界匀强磁场的纵向范围足够大,磁感应强度的方向垂直纸面向里.现有一群正粒子从O点以相同的速率沿纸面不同方向射入磁场.若粒子在磁场中做匀速圆周运动的轨迹半径r均为5cm,不计粒子的重力,则(    )

    A.右边界:-4cm<y<4cm内有粒子射出

    B.右边界:y>4cm和y<-4cm内有粒子射出

    C.左边界:y>8cm内有粒子射出

    D.左边界:0<y<8cm内有粒子射出

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  • 4匀强磁场的边界为直角三角形ABC,一束带正电的粒子以不同的速率沿AB从A处射入磁场,不计粒子的重力。则(    )

    A.从BC边射出的粒子场中运动时间相等

    B.从AC边射出的粒子场中运动时间相等

    C.从BC边射出的粒子越靠近C,场中运动时间越长

    D.从AC边射出的粒子越靠近C,场中运动时间越长

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  • 5如图所示,沿直线通过速度选择器的正离子从狭缝S射入磁感应强度为B2的匀强磁场中,偏转后出现的轨迹半径之比为R1∶R2=1∶2,则下列说法正确的是(    )

    A.离子的速度之比为1∶2

    B.离子的电荷量之比为1∶2

    C.离子的质量之比为1∶2

    D.以上说法都不对

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  • 6空间有一圆柱形匀强磁场区域,该区域的横截面的半径为R,磁场方向垂直横截面。一质量为m、电荷量为q(q>0)的粒子以速率v0沿横截面的某直径射入磁场,离开磁场时速度方向偏离入射方向60°。不计重力,该磁场的磁感应强度大小为(    )

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 7带电粒子以初速度v0从a点进入匀强磁场,如图所示.运动中经过b点,Oa=Ob,若撤去磁场加一个与y轴平行的匀强电场,仍以v0从a点进入电场,粒子仍能通过b点,那么电场强度E与磁感应强度B之比为(    )

    A.选A

    B.选B

    C.选C

    D.选D

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  • 8如图所示的四幅图中,正确标明了带正电的粒子所受洛伦兹力f方向的是(    )

    A.

    B.

    C.

    D.

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  • 9如图所示,在内壁光滑、水平放置的玻璃圆环内,有一直径略小于环口径的带正电的小球,正以速率v0沿逆时针方向匀速转动。若在此空间突然加上方向竖直向上、磁感应强度B随时间成正比例增加的变化磁场,设运动过程中小球带的电荷量不变,那么(    )

    A.磁场力对小球一直做正功

    B.小球受到的磁场力不断增大

    C.小球先沿逆时针方向做减速运动,过一段时间后,再沿顺时针方向做加速运动

    D.小球仍做匀速圆周运动

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  • 10半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种。p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子。现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则(    )

    A.若M电势高,就是p型半导体

    B.若M电势高,就是n型半导体

    C.若N电势高,就是p型半导体

    D.若N电势高,就是n型半导体

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