CR的第三象限英文简称（    ）

试卷相关题目

• 1CR四象限理论中，第四象限对应的曲线为（    ）

  A.照片特性曲线

  B.增感屏特性曲线

  C.IP特性曲线

  D.光激励荧光物的特性曲线

  E.FPD特性曲线

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• 2CR中IP的线性范围是（    ）

  A.1：102

  B.1：103

  C.1：104

  D.1：105

  E.1：106

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• 3CR中EDR的中文全称是（    ）

  A.影像记录装置

  B.曝光数据识别器

  C.薄膜晶体管阵列

  D.光电倍增管

  E.曝光指示器

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• 4IP曝光后，应在多少内进行信号读取（    ）

  A.1分钟

  B.1小时

  C.8小时

  D.12小时

  E.24小时

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• 5CR中光激励发光的波长为（    ）

  A.100~200nm

  B.390~490nm

  C.290~390nm

  D.200~300nm

  E.190~290nm

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• 6一般将IP上产生多少的照射量作为基础的目标照射量（    ）

  A.1mR

  B.10mR

  C.100mR

  D.1000mR

  E.10000mR

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• 7FPD的中文全称为（    ）

  A.影像板

  B.平板探测器

  C.光敏照相机

  D.平面回波序列

  E.直接数字X线摄影

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• 8下列器件哪个不能将光信号转化为电信号（    ）

  A.CCD相机

  B.非晶硅

  C.非晶硒

  D.光电二极管

  E.闪烁体

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• 9直接FPD中将射线转化为电信号的是（    ）

  A.非晶硒

  B.非晶硅

  C.光激励荧光体

  D.光电倍增管

  E.CCD

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• 10X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（    ）

  A.可见光

  B.电子空穴对

  C.荧光

  D.正电子

  E.低能X射线

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