CR四象限理论中,第四象限对应的曲线为( )
发布时间:2020-11-13
A.照片特性曲线
B.增感屏特性曲线
C.IP特性曲线
D.光激励荧光物的特性曲线
E.FPD特性曲线
试卷相关题目
- 1CR中IP的线性范围是( )
A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106
开始考试点击查看答案 - 2CR中EDR的中文全称是( )
A.影像记录装置
B.曝光数据识别器
C.薄膜晶体管阵列
D.光电倍增管
E.曝光指示器
开始考试点击查看答案 - 3IP曝光后,应在多少内进行信号读取( )
A.1分钟
B.1小时
C.8小时
D.12小时
E.24小时
开始考试点击查看答案 - 4CR中光激励发光的波长为( )
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
开始考试点击查看答案 - 5要想将使用过的IP再次使用,必须( )
A.使用高能射线照射
B.使用电流消除残存电荷
C.使用显影液、定影液重写
D.使用清水冲洗
E.使用强光照射消除数据
开始考试点击查看答案 - 6CR的第三象限英文简称( )
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
开始考试点击查看答案 - 7一般将IP上产生多少的照射量作为基础的目标照射量( )
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
开始考试点击查看答案 - 8FPD的中文全称为( )
A.影像板
B.平板探测器
C.光敏照相机
D.平面回波序列
E.直接数字X线摄影
开始考试点击查看答案 - 9下列器件哪个不能将光信号转化为电信号( )
A.CCD相机
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光电二极管
E.闪烁体
开始考试点击查看答案 - 10直接FPD中将射线转化为电信号的是( )
A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激励荧光体
D.光电倍增管
E.CCD
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