【题目ID:12】.很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术的重要地位。

试卷相关题目

• 1【题目ID:11】.晶闸管导通的条件包括（）

  A.承受正向电压：

  B.承受反向电压：

  C.阳极有触发电流；

  D.门极有触发电流.

  开始考试点击查看答案
• 2【题目ID:10】.半控桥或有续流二极管的电路可以实现有源逆变，而全控电路不能实现。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 3【题目ID:9】.要使原来导通的晶闸管关断，须将流过晶闸管的电流降到（）以下。

  A.额定电流；

  B.维持电流；

  C.擎住电流；

  D.触发电流。

  开始考试点击查看答案
• 4【题目ID:8】.【多选题】GTR的输出特性可分为（ ） 区。

  A.线性区

  B.放大区

  C.饱和区

  D.截止区

  开始考试点击查看答案
• 5【题目ID:7】.晶闸管的临界导通条件为（）

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 6【题目ID:13】.α=0°时，m脉波整流电压的谐波次数为mk次。当m一定时，随谐波次数增大，谐波幅值迅速增大（）。

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 7【题目ID:14】.三相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（）。

  A.

  B.2

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 8【题目ID:15】.电压型逆变器，直流侧是电压源或并联有大电容，相当于电压源。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 9【题目ID:16】.双向晶闸管与普通晶闸管不一样，其内部有四个PN结。（）

  A.正确

  B.错误

  开始考试点击查看答案
• 10【题目ID:17】.下列器件中，（）是电压驱动型器件。

  A.晶闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

  开始考试点击查看答案