试卷相关题目
- 1【题目ID:7】.晶闸管的临界导通条件为()
A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:6】.不管在任何形式的整流电路中,电阻负载的特点不正确的是()。
A.电压与电流波形相同
B.电压与电流相位相同
C.只消耗电能
D.储存电能
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:5】.【多选题】关于电力电子器件的描述,下 列说法中不正确的有( )。
A.一般通过施加反压的方法来让晶闸管关断
B.GTO的额定电流定义为“最大可关断阳极电流”
C.MOSFET工作在饱和区和截止区
D.IGBT工作在非饱和区和正向阻断区
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:4】.【多选题】电力电子器件在阻断状态时,具有什么特点( )。
A.阻抗很大,接近于断路
B.阻抗很小,接近于短路
C.电流几乎为零,管子两端电压由外电路决定
D.管压降接近于零,电流由外电路决定
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:3】.电流型逆变器,交流侧电流波形为()。
A.正弦波
B.矩形波
C.锯齿波
D.梯形波
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:9】.要使原来导通的晶闸管关断,须将流过晶闸管的电流降到()以下。
A.额定电流;
B.维持电流;
C.擎住电流;
D.触发电流。
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:10】.半控桥或有续流二极管的电路可以实现有源逆变,而全控电路不能实现。()
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 8【题目ID:11】.晶闸管导通的条件包括()
A.承受正向电压:
B.承受反向电压:
C.阳极有触发电流;
D.门极有触发电流.
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:12】.很多专家都认为,在未来十年内().都将保持其在电力电子技术的重要地位。
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO.
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:13】.α=0°时,m脉波整流电压的谐波次数为mk次。当m一定时,随谐波次数增大,谐波幅值迅速增大()。
A.正确
B.错误
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